日经新闻28日报导，日本半导体（芯片）、液晶技术研发机构“日本半导体能源研究所（SEL、SemiconductorEnergyLaboratory）”已研发出可将耗电力压缩至现行1/10以下水准的次世代芯片量产技术，且台湾晶圆代工大厂联电（UMC）将抢先在2016年夏天开始生产采用上述技术的CPU、内存产品。
报导指出，SEL舍弃现行主流的矽、改用被称为“IGZO”的氧化物半导体的特殊结晶体，藉由形成多层电子电路（electroniccircuit）、防止电流外漏，藉此达到省电的效果，除可大幅改善智能手机等电子机器的电池寿命之外，也有望促进智能手表等穿戴式设备的普及速度。
据报导，除CPU、内存之外，上述新技术也可应用在感测器、逻辑集成电路（IC）等广泛半导体产品上，藉此可将智能手表等穿戴式设备的电池寿命延长至现行的约10倍水准，而SLE计划将该技术卖给全球半导体厂商，藉此收取特许费。
报导并指出，今后半导体基础材料可能将从现行主流的矽转换成IGZO特殊结晶体，而美国英特尔（Intel）、韩国三星电子（SamsungElectronics）等全球半导体大厂也正持续关注此种技术动向。
（本文由MoneyDJ新闻授权转载）
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