1、镀膜室尺寸(长×宽×高):不小于400×440×450mm;SUS304不锈钢制作,方箱式,配有前、后门,前门水平滑开式,材质为锻铝;后门为侧开门;特点:镀膜室配置独立机架,可在脱离手套箱条件下单独调试和使用,与手套箱之间通过镀膜室前门框密封连接;
★2、真空系统:复合分子泵+直联旋片泵+高真空插板阀高真空系统,“两低一高”数显复合真空计;
3、极限真空:优于6.0×10-5Pa;(设备和手套箱分体,设备空载抽真空24小时);
4、真空抽速:从大气抽至8.0×10-4Pa≤40min;
5、真空系统设备升压率:≤0.8Pa/h;
6、真空系统设备保压:停泵12小时候后,设备真空度≤10Pa;
7、基片台:抽屉式结构,承载最大小于120×120mm基片;配有气动基片台挡板;
8、基片台电机驱动,旋转速度0~20转/分钟可调;手动升降,升降基片台可调节范围70mm;根据用户要求定制掩膜板1套;加热温度最高可达300℃,PID智能温控闭环控制;
9、金属源:水冷铜电极2组;(预留2组金属源接口)逆变式蒸发电源:功率3000W;1台(1台电源可切换2组蒸发源);蒸发源配气动挡板及源间防污隔板;
10、控制方式:采用PLC+触摸屏半自动控制;
11、报警及保护:对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施;
12、真空腔室:
12.1结构:采用立式方形结构,前门为水平滑开式,位于手套箱体内部;通过门框法兰与手套箱对接;
12.2材料及尺寸(长×宽×高):不小于400×440×450mm,采用304不锈钢;镀膜腔室(包括管道、连接法兰等)均进行清洁处理,内表面抛光,外表面电抛三项处理;
12.3主要接口装配位置:腔室底部可拆卸蒸发源及挡板接口;基片台、基片台加热器、及热电偶探头接口、两个CF35预留接口、1套进气接口等从腔室顶部引入;DN200mm左侧置抽气口;膜厚仪接口及基片台挡板接口位于腔室侧部;DN10mm电磁放气阀腔室顶部;
12.4预留接口:四个(CF35、LF26),膜厚监控及拓展功能用。φ80mm观察窗,配磁力档板,安装于前后门上;腔室防污屏蔽板,可拆卸;
★13、旋转升降加热基片台:
13.1基片台:不锈钢抽屉式结构,承载最大小于120×120mm基片;基片台可从基片架组件中取出;
13.2配有气动基片台挡板;
13.3配标准基片台夹具,方便装卡不同规格的基片,包括满足用户需求的掩膜板1套;
13.4基片台旋转:转速0~20rpm;主轴磁流体密封;
13.5基片台加热:最高加热温度300±1℃,采用金属铠装加热器及金属反射板,整体安装于基片台背部,对基片进行平行辐射加热,采用热电偶测温、PID智能温控仪控制;
13.6基片台升降:基片台具备升降功能;升降范围:70mm;
14、蒸发源及电源:
14.1蒸发源及挡板接口圆周均布,可拆卸安装板;
14.2金属蒸发源:2组,金属蒸发源采用铜水冷蒸发电极及舟式或锥形坩埚式,水冷蒸发电极4根组成2组;
14.3最高蒸发温度:不低于室温~1300℃(真空状态);
14.4金属蒸发电源:功率3000W,1台;电流通过逆变式调控,电源可切换供多组电极分时蒸镀;
14.5防污隔板:蒸发源源间配防污隔板;
14.6独立挡板:蒸发源每组配独立挡板;
14.7蒸发源配件:金属蒸发源钼舟20个;
15、真空系统:
15.1复合分子泵:FF-160/700,抽速700L/S,水平安装;
15.2机械泵:TRP-36,抽速9L/S,内置挡油阀,前级/旁路阀GDQ-J40;气动高真空插板阀:CCQ-150;放气阀:DN10,电磁充气阀;
15.3真空测量:数显复合真空计,两只电阻规测量低真空,一只电离规测量高真空;
15.4测量范围:不小于1×10-5Pa--1×105Pa;
15.5波纹管材质:SUS304不锈钢;
15.6真空密封:可拆静密封,采用氟橡胶圈密封,不常拆静密封采用金属密封,包含密封件、连接件及其附件;
16、水路系统:
16.1水排:SUS304不锈钢,保障循环供水到每个水冷部件;
16.2总进水:采用压力控制器,检测供水及水压状态,执行异常报警;
17、电气控制系统:
17.1电气控制系统:采用PLC+触摸屏控制系统,可实现自动一键式抽真空,蒸发镀膜电源采用手动控制;
17.2控制内容:具备分子泵、机械泵、阀门开关;具备分子泵电源参数显示及开关控制、真空计参数显示及控制、基片台转速控制、基片加热温度控制等;
17.3安全保护报警系统:在缺水、水压过低、电源过流、短路等异常情况执行相应保护措施,具备程序互锁保护系统;
18、交货培训时,现场提供Au、Al薄膜沉积工艺参数,并进行现场制备,所需耗材由供货商提供。
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